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IC CHINA 2006成功举办

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瑞萨科技向台湾代工厂商提供AG-AND型闪存授权

 上网时间:2006-2-22

    日本瑞萨科技将向半导体代工厂商台湾力晶半导体股份有限公司(Powerchip Semiconductor Corp.)提供AG-AND型闪存的制造技术及销售授权(发布资料)。自2005年上半年起,瑞萨科技已将AG-AND型闪存的量产部分委托给力晶公司。对于AG-AND型闪存的生产,将通过采取双公司生产体制,满足来自高速写入存储卡领域的需求。

  具体来说,将提供授权的是采用130nm工艺生产的512Mbit和1Gbit产品。瑞萨科技由此将把生产重心转移到90nm工艺的4Gbit产品上。对于4Gbit产品的量产数量,该公司计划在2006年1月~3月把它提高到172万个。2005年10月~12月则为93万个。

  瑞萨科技现已宣布停止开发8Gbit产品。此次授权仅涉及130nm产品,至于90nm工艺以后的产品,则不在授权之列。
 
 

 
 
 
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