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IC CHINA 2006成功举办

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宏力半导体采用ARM物理IP扩展其0.18微米和0.13微米流水线

 上网时间:2006-1-12

  该协议使ARM全球用户可以通过ARM网站免费获得基于宏力技术的物理IP

  今天,业界领先的IC生产企业上海宏力半导体制造有限公司 和ARM公司共同宣布他们的第一个授权协议。ARM公司将开发一套Artisan® 物理IP来支持宏力公司0.18微米和0.13微米的流水线技术。该协议将使宏力公司可以接触到全球几千家采用ARM物理IP的用户,从而扩展其国内及全球的制造战略。

  “ARM产品在SoC设计领域内一直是领先的物理IP解决方案,” 上海宏力半导体制造有限公司市场行销执行副总裁郭天全博士表示:“我们和ARM的合作将扩展我们在全球的影响力,并给客户提供通过生产验证的高质量产品,帮助他们缩短设计周期,最大程度降低风险并加快上市时间。”

  这次授权的ARM物理IP产品包括Artisan SRAM, ROM和注册文件存储发生器,以及支持宏力公司0.18微米和0.13微米流水线的SAGE-X™标准单元库和多用途I/O库。这个IP符合Artisan设计标准并包含ARM支持行业领先EDA工具的广泛的工艺库和模型。此外,该协议使ARM可以通过其Access Library 计划向全球的授权设计团队免费提供基于宏力技术的物理IP。

  “ARM与宏力公司这次重要的合作再次证明了ARM一直致力于对中国合作伙伴的服务和支持。”ARM中国业务总裁谭军博士说到:“这个协议扩展了ARM和宏力技术的业务范围,并帮助共同的客户将设计成果成功的投片生产。”

  供货

  可以立即通过ARM网站免费下载用于宏力公司0.18微米生产的ARM存储发生器、SAGE-X标准单元库和多用途I/O的前端工艺库。这些产品的完整工艺库将于2006年第一季度上市。

  

 
 
 
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